СН74В263-7ПЗА

Обзор SN74V263-7PZA

Пакет 80-LQFP содержит чип памяти FIFO. Он упакован в виде лотка. На чипе FIFO имеется память 144 КБ, 8 КБ x 18, 16 КБ x 9, которые можно использовать для хранения приложений и данных. Необходимо поддерживать температуру. при температуре 0°C~70°C для обеспечения надежной работы. Эта память FIFO имеет тип поверхностного монтажа. Работа в основном на напряжении питания 3,15 В~3,45 В. Серия 74 Содержит эту логику памяти. Максимальный рабочий ток питания 35 мА в порядке FIFO. Поверхностный монтаж — это рекомендуемый метод монтажа микросхем памяти. Память микросхемы составляет 74 В 263. Это возможно. для достижений высокая эффективность при напряжении питания 3,3 В. Я обнаружил, что он имеет 80 выводов в FIFO. Рабочие контакты 80. Для работы конструкции FIFO требуется максимальный ток 35 мА. Для максимизации эффективности напряжение питания должно быть установлено на уровне 3,3 В. Оно является автономным в ФИФО. Используются микросхемы типа ДРУГОЙ ФИФО. в чипе памяти FIFO. Частота 133 МГц способна обеспечить хорошую точность. Также возможно ограничение ТАКЖЕ МОЖЕТ БЫТЬ НАСТРОЕНО КАК 16384 X 9 с использованием этой памяти FIFO. Максимальное напряжение питания микросхемы памяти FIFO установлено на уровне 3,45 В. Идеальное напряжение питания (Vsup) должно оставаться выше 3,15 В. Схема 2 используется для повышения ее гибкости.

Особенности SN74V263-7PZA

144 КБ 8 х 18 16 КБ х 9 объем памяти
серия 74В
Лучший номер детали 74V263
Категория ФИФО

SN74V263-7PZA Приложения

Существует множество приложений для памяти Texas Instruments SN74V263-7PZA FIFO.

• Настольные компьютеры
• Эмуляторы
• Скорость буферов
• Компьютерные системы
• Очереди в коммунальной связи
• Сопоставление адресов
• Сетевые мосты
• Конвертеры кодов
• Энергетическое бурение
• SPD для модулей памяти DDR3