Позвоните нам:+86 0755-82563503
Валюта:$ Доллар США
Предметы :%s%s
Транзисторные оптические датчики
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | ЭКАД | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Техническая спецификация | Срок выполнения заказа на заводе | Установить | Материал | Материал корпуса | Упаковка | Опубликовано | Ряд | Код Pbfree | Статус детали | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочее напряжение питания | Длина | Статус RoHS | Без свинца | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество контактов | Дополнительная функция | Пакет/ключи | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Достичь соответствия кода | Высота | Шyrina | Тип монтажа | Рабочая температура | Напряжение — номинальный постоянный ток | Метод измерения | Входной ток | Количество функций | Тип | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Тип выхода | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Максимальная рассеиваемая мощность | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Высота тела | Выходное напряжение | Количество элементов | Прямой ток | Прямое напряжение | Сенсорный экран | Время ответа | Расстояние внедрения | Максимальный ток во включенном состоянии | Рассеяние активности | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение (постоянный ток) | Макс. ток коллектора | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация вывода | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Длина волны | Прямой ток-макс. | Диапазон измерения-Макс. | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Темный ток-Макс. | Темный ток | Ширина слота-ном. | Повторяемость | Номинальный ток коллектора в состоянии включения | Размер зазора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Свободное подвешивание | Масса | 2012 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 10 недель | Крепление на раму, винт | Пластик | Пластик | Масса | 2006 г. | Активный | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | 23,75 мм | Соответствует RoHS | Без свинца | Нет | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Нет СВХК | 10,54 мм | 23,75 мм | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Пересечение объекта | 20 мА | Неусиленный | 1 | 100мВт | 30 В | 1 | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 2В | 2В | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 880 нм | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Решения Honeywell для измерения и повышения производительности | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 12 недель | Крепление на раму, винт, проволока | Масса | 1997 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на корпусе, выводы проводов | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 1 | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 3В | 30 мА | 30 В | 30 В | 15 мкс | 15 мкс | Транзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 12 недель | Крепление на шасси | Масса | 2012 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 30 мА | 30 В | Фототранзистор | 30 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Продажи промышленной автоматизации Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 2016 год | ПМ-64 | Устаревший | 1 (без блокировки) | 55°С | -25°С | Соответствует RoHS | Модуль, разъем, тип слота | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 30 В | 15 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 12 недель | Сквозное отверстие | Масса | 2012 год | Активный | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Монтаж на печатной плате | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Трубка | 1997 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Модуль, контакты ПК, тип слота | Сквозное отверстие, фланец | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 2002 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | 1,7 В | Соответствует RoHS | Без свинца | 4 | Прорезные штыри для ПК | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | 30 В | Пересечение объекта | 60 мА | Неусиленный | 30 В | 1 | 50 мА | 1,7 В | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | 150 мВт | 6В | 40 мА | 30 В | 30 В | Фотодарлингтон | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИК, Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 3 недели | ВФ | Активный | Модуль, Разъем | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Оптический флаг | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Продажи промышленной автоматизации Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Крепление на шасси | ПБТ | Масса | 2016 год | ПМ-54 | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Без свинца | ПЕРЕВОРАЧНАЯ ПОЛЯРНОСТЬ, ЗАЩИТА ОТ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ | Модуль, выводы проводов, тип слота | неизвестный | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 5В | 24В | 13,4 мм | 13,2 мм | 22,2 мм | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 30 В | 15 мА | 5 мм | 50 мА | 0,03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 2012 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Omron Автоматизация и безопасности | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | Устаревший | Непригодный | Модуль, выводы проводов, тип слота | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Пересечение объекта | Усиленный | 0,197 (5 мм) | ПНП — открытый коллектор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Продажи промышленной автоматизации Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 6 недель | Масса | ПМ-44 | Устаревший | 1 (без блокировки) | Модуль, выводы проводов, тип слота | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 30 В | 15 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lite-On | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 8 недель | Сквозное отверстие | Масса | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Модуль, контакты ПК, активируемый датчик | Сквозное отверстие | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Масса | 2008 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Монтаж на печатной плате | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 30 мА | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 2005 г. | да | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Медь, Серебро, Олово | Нет | 5100 | Модуль, контакты ПК, тип слота | Нет СВХК | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | 1 | Неусиленный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | Фототранзистор | 1 | 80мВт | 50 мА | 80мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | 10 мкс | 10 мкс | Транзистор | 950 нм | 50 мА | 500нА | 2 мм | 0,2 мА | 2 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 10 недель | Крепление на шасси | Масса | 2008 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль, прорезной | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | Инфракрасный (ИК) | 0,160 (4,06 мм) | 30 мА | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 2006 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Монтаж на печатной плате | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 1 | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,100 (2,54 мм) | 100мВт | 2В | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Крепление на раму, винт | Масса | 1997 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 5 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 1 | 50 мА | 0,375 (9,53 мм) | 100мВт | 2В | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 51 неделя | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Масса | 2012 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 1 | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 2В | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 880 нм | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 10 недель | Сквозное отверстие | Масса | 2012 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Монтаж на печатной плате | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 12 недель | Крепление на шасси | Масса | 2008 год | ОПБ420 | Активный | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль, выводы проводов, тип слота | Неизвестный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Пересечение объекта | 20 мА | 1,7 В | 50 мА | 1,7 В | 100мВт | 2В | 10 мА | 24В | 24В | Фототранзистор | 24В | 10 мА | 880 нм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Omron Автоматизация и безопасности | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 2 недели | Масса | 2015 год | EE-SX95 | Активный | Непригодный | Соответствует RoHS | Модуль, выводы проводов, тип слота | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Пересечение объекта | Усиленный | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 24В | 15 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 10 недель | Крепление на раму, винт | Масса | 2008 год | Активный | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 1 | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 2В | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 880 нм | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 2006 г. | да | Не для новых дизайнов | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Медь, Серебро, Олово | 4 | Монтаж на печатной плате | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Пересечение объекта | 1 | Неусиленный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 0,197 (5 мм) | 80мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | 10 мкс | 10 мкс | Фототранзистор | 30 мА | 800 нм | 0,05А | 50 мА | 500нА | 5 мм | 5 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 12 недель | Сквозное отверстие | Масса | 2005 г. | да | Активный | 1 (без блокировки) | 4,9 мм | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Медь, Серебро, Олово | 4 | Монтаж на печатной плате | 3,3 мм | 2,6 мм | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | 1,3 В | Пересечение объекта | 1 | Неусиленный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 50 мА | 1,3 В | 10 мкс, 10 мкс | 0,079 (2 мм) | 0,00095А | 80мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | 10 мкс | 10 мкс | Фототранзистор | 950 нм | 500нА | 2 мм | 0,3 мА | 2 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Свободное подвешивание | Масса | 2009 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 2012 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 4 | Модуль предварительно смонтированный | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 50 мА | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 30 мА | 30 В | 30 В | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 890 нм | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Решения Honeywell для измерения и повышения производительности | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 14 недель | Сквозное отверстие | Масса | 1997 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | Нет | 4 | Монтаж на печатной плате | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 1 | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 0,125 (3,18 мм) | 100мВт | 3В | 30 мА | 30 В | 30 В | 15 мкс | 15 мкс | Транзистор | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Трубка | 2002 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | Модуль, контакты ПК, тип слота | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Пересечение объекта | Неусиленный | 4 мкс, 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 60 мА |
Нужна помощь?
