Позвоните нам:+86 0755-82563503
Валюта:$ Доллар США
Предметы :%s%s
JFET-транзисторы
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | ЭКАД | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Техническая спецификация | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Установить | Упаковка | Опубликовано | Ряд | Код Pbfree | Статус детали | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Количество окончаний | ECCN-код | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Длина | Статус RoHS | Без свинца | Контактное покрытие | Текущий рейтинг | Радиационная закалка | Количество контактов | Пакет/ключи | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Достичь соответствия кода | Высота | Ширин | Тип монтажа | Масса | Рабочая температура | Напряжение — номинальный постоянный ток | Режим работы | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Базовый номер детали | Количество контактов | Поверхностный монтаж | Код JESD-30 | Количество вариантов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная рассеиваемая мощность | Мощность - Макс. | Количество элементов | Конфигурация | Код JEDEC-95 | Без галогенов | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Напряжение проба | Снижение сопротивления до источника | Поставщик пакета оборудования | Рассеиваемая мощность-Макс. | Непрерывный ток стока (ID) | Максимальный переход температуры (Tj) | Применение транзистора | Источник стока при максимальном сопротивлении | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Материал транзисторного элемента | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Напряжение проба стока к источнику | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Самый высокий частотный диапазон | Входная емкость | Эмкость — вход | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Напряжение – отсечка (VGS выключена) @ Id | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N4859JTXV02 | Вишай Силиконикс | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Сквозное отверстие | Трубка | Устаревший | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | Да | 3 | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Сквозное отверстие | Одинокий | -30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4856-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поднос | Активный | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Править | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Править | N-канал | 18пФ при 10В | 40В | 4 В @ 50 В | 25 Ом | 40В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN4861 | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2005 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 2N4861 | 625 МВт | ТО-92-3 | N-канал | 18пФ при 10В | 8 при мА 15 В | 800 мВ при 0,5 нА | 60 Ом | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4093 | Рочестер Электроникс | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2000 г. | да | Устаревший | 1 (без блокировки) | 3 | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 8мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 40В | РЕЖИМ Истощения | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕТ | О-PBCY-T3 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 | ОДИНОКИЙ | 625 МВт | 80Ом | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | КРЕМНИЙ | N-канал | 16пФ при 20В | 5 пФ | 8 при мА 20 В | 1 В при 1 нА | 80Ом | 40В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TF202THC-3-TL-HX | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | P1087_D74Z | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2002 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 350 мВт | P-канал | 45пФ при 15В | 5 при мА 20 В | 5 В @ 1 мкА | 150Ом | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J176_D26Z | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 2000 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Без свинца | -50мА | Нет | 3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | -30В | J176 | 350 мВт | Одинокий | 13,5 мА | P-канал | 30В | 30В | 2 при мА 15 В | 1 В при 10 нА | 250Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСК30YTA | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 2002 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | КСК30 | 100мВт | ТО-92-3 | N-канал | 8,2 пФ при 0 В | 1,2 мА при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС74_J35Z | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Масса | Устаревший | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Сквозное отверстие | 350 мВт | ТО-92-3 | N-канал | 18 пФ при 10 В ВГС | 20 при мА 15 В | 2 В при 4 нА | 40 Ом | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF202THC-5-TL-H | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2016 год | да | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Без свинца | Олово | Нет | 3 | 3-СМД, плоский вывод | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | 100мВт | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | -20В | 5В | 210 мкА при 5 В | 200 мВ @ 1 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 5285-ММБФДЖ201 | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 350 мВт | N-канал | 200 мкА при 20 В | 300 мВ при 10 нА | 40В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ310 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | да | Устаревший | Поставщик не определен | 3 | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | совместимый | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | РЕЖИМ Истощения | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | ДА | Р-ПДСО-Г3 | Не квалифицированный | 350 мВт | 1 | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | КРЕМНИЙ | N-канал | 5пФ @ 10В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 24 при мА 10 В | 2 В при 1 нА | 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J174_D74Z | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 2000 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | J174 | 350 мВт | ТО-92-3 | P-канал | 20 при мА 15 В | 5 В при 10 нА | 85 Ом | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4856-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2Н4392 | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 8 недель | Сквозное отверстие | 2001 г. | нет | Активный | 3 | 175°С | -65°С | Соответствует RoHS | Без свинца | 3 | ТО-18 | РЕЖИМ Истощения | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 1 | Н-КАНАЛЬНЫЙ | Одинокий | 1,8 Вт | 60Ом | 1,8 Вт | 100пА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 40В | 40В | 14пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246С | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Активный | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4119A-E3 | Вишай Силиконикс | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 2009 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | EAR99 | Соответствует ROHS3 | Нет | 4 | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | е3 | Матовый олово (Sn) | Другие транзисторы | 300мВт | Одинокий | 300мВт | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 3пФ при 10 В | -40В | 200 мкА при 10 В | 2 В при 1 нА | 40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J105_D74Z | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | Устаревший | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 625 МВт | N-канал | 500 мА при 15 В | 4,5 В @ 1 мкА | 3Ом | 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J3E145GXS/S0BGCA5J | НХП Полупроводники | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2Н5433-2 | Вишай Силиконикс | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 15 недель | Сквозное отверстие | Трубка | 2009 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 3 | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 300мВт | Одинокий | N-канал | 30пФ при 0 В | -25В | 100 мА при 15 В | 3 В при 3 нА | 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J3A040YXS/T0BY4571 | НХП Полупроводники | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J113 | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 6 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | Сквозное отверстие | Масса | 2006 г. | Активный | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 5,2 мм | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Медь, Серебро, Олово | 50 мА | Нет | 3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Нет СВХК | 5,33 мм | 4,19 мм | Сквозное отверстие | 201мг | -55°C~150°C, ТиДжей | 35В | J113 | 1 | 625 МВт | 625 МВт | Одинокий | 625 МВт | -35В | 100Ом | ТО-92-3 | 2мА | 150°С | N-канал | -35В | 35В | 2 при мА 15 В | 500 мВ @ 1 мкА | 100 Ом | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | МВ2Н4861 | Микросеми | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 30 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Сквозное отверстие | Масса | 2007 год | Военный, MIL-PRF-19500/385 | нет | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | Не соответствует требованиям RoHS | Нет | 3 | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | РЕЖИМ Истощения | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 360мВт | 1 | Одинокий | 60Ом | СОЕДИНЕНИЕ | КРЕМНИЙ | N-канал | 18пФ при 10В | -30В | 8 пФ | 80 при мА 15 В | 4 В @ 0,5 нА | 60Ом | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ5486-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 13 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2009 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | EAR99 | Соответствует ROHS3 | 3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | неизвестный | Поверхностный монтаж | 200,998119мг | -55°C~150°C, ТиДжей | е3 | Матовый олово (Sn) | Другие транзисторы | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | 8мА | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 5пФ при 15В | -25В | 8 при мА 15 В | 2 В @ 10 нА | 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBFJ111 215 | НХП Полупроводники | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2001 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | РЕЖИМ Истощения | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | MBFJ111 | 3 | ДА | Р-ПДСО-Г3 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300мВт | 1 | ОДИНОКИЙ | ТО-236АБ | 0,3 Вт | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30Ом | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | КРЕМНИЙ | N-канал | 6пФ при 10В ВГС | 20 при мА 15 В | 10 В @ 1 мкА | 30Ом | 40В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252TH-4-TL-H | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2007 год | да | Устаревший | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 1,4 мм | Соответствует RoHS | Без свинца | 3 | 3-СМД, плоский вывод | 340 мкм | 800 мкм | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | РЕЖИМ Истощения | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | ТФ252 | 3 | ДА | 100мВт | 1 | Без галогенов | Одинокий | 1 мА | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | КРЕМНИЙ | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | -20В | 0,001А | 2В | 140 мкА при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3666-2-ТБ-Э | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 6 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | Лента и катушка (TR) | 2005 г. | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | 2,9 мм | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 3 | ТО-236-3 | 1,1 мм | 1,5 мм | РЕЖИМ Истощения | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | ДА | 200мВт | 1 | Н-КАНАЛЬНЫЙ | Одинокий | 200мВт | 200Ом | 10 мА | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -30В | 30В | 0,01 А | 30В | 4пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J3E082EA4/S0BE5AQJ | НХП Полупроводники | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CMPF4416A ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 18 недель | Разрезанная лента (CT) | 2010 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | РЕЖИМ Истощения | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | ДА | Р-ПДСО-Г3 | Не квалифицированный | 350 мВт | 1 | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | КРЕМНИЙ | N-канал | 4,5 пФ при 15 В | 1,2 пФ | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 5 при мА 15 В | 2,5 В при 1 нА | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ03640QL | Электронные компоненты Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2004 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Без свинца | -20 мА | СК-70, СОТ-323 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | -65В | 2SJ0364 | 150 мВт | 150 мВт | SMini3-G1 | P-канал | 12пФ @ 10В | 65В | 12пФ | 600 мкА при 10 В | 1,5 В @ 10 мкА | 300 Ом | 20 мА |
-
- CP216-2N4856-CM Центральная полупроводниковая корпорация
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ JFET N-CH
Цена: 0.0000
запросить цену - PN4861 ОН Полупроводник
Техническое описание PN4861 в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступны в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену -
- TF202THC-3-TL-HX ОН Полупроводник
Техническое описание TF202THC-3-TL-HX в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
- КСК30YTA ОН Полупроводник
Техническое описание KSK30YTA в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену - ТИС74_J35Z ОН Полупроводник
Техническое описание TIS74_J35Z в формате pdf и сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену - TF202THC-5-TL-H ОН Полупроводник
Техническое описание TF202THC-5-TL-H в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену - 5285-ММБФДЖ201 ОН Полупроводник
Техническое описание 5285-MMBFJ201 в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW
Цена: 0.0000
запросить цену - CMPFJ310 БК Центральная полупроводниковая корпорация
IC JFET P-CH SOT23-3
Цена: 0.0000
запросить цену -
- CP206-2N4856-CT Центральная полупроводниковая корпорация
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ JFET N-CH
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
-
-
-
-
-
- J113 ОН Полупроводник
Техническое описание J113 в формате pdf и подробно о транзисторах — JFET со складом данных ON Semiconductor доступен в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
- PMBFJ111 215 НХП Полупроводники
Техническое описание PMBFJ111,215 в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада NXP USA Inc. доступны в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену - TF252TH-4-TL-H ОН Полупроводник
Техническое описание TF252TH-4-TL-H в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену - 2SK3666-2-ТБ-Э ОН Полупроводник
Техническое описание 2SK3666-2-TB-E в формате pdf и подробные сведения о транзисторах — JFET со склада ON Semiconductor доступен в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену -
- CMPF4416A ТР Центральная полупроводниковая корпорация
JFET N-CH 35 В 10 мА SOT23
Цена: 0.0000
запросить цену - 2SJ03640QL Электронные компоненты Panasonic
JFET P-CH 20MA 150 МВт SMINI3P
Цена: 0.0000
запросить цену
Нужна помощь?
