Аналоговые оптические датчики

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Техническая спецификация	Срок выполнения заказа на заводе	Установить	Материал корпуса	Упаковка	Опубликовано	Код Pbfree	Статус детали	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Прекращение действия	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Рабочее напряжение питания	Длина	Статус RoHS	Без свинца	Контактное покрытие	Радиационная закалка	Количество контактов	Дополнительная функция	Пакет/ключи	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Достичь соответствия кода	Высота	Ширин	Тип монтажа	Рабочая температура	Метод измерения	Входной ток	Код JESD-609	Терминальные отделки	Тип выхода	Поверхностный монтаж	Минимальное напряжение питания (Vsup)	Количество вариантов	Подкатегория	Напряжение питания-Макс (Vsup)	Максимальная рассеиваемая мощность	Длина или диаметр тела	Ширина тела	Высота тела	Выходное напряжение	Количество элементов	Выходной ток-Макс.	Выходной ток	Выходное напряжение-Макс.	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип завершения	Время ответа	Тип датчиков/преобразователей	Расстояние внедрения	Выходной диапазон	Рассеяние активности	Обратное напряжение проба	Максимальное напряжение проба	Обратное напряжение	Обратное напряжение (постоянный ток)	Макс. ток коллектора	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Время подъема	Осень (тип.)	VCEsat-Макс	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Длина волны	Жилье	Диапазон измерения-Макс.	Диапазон измерения-мин.	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	2012 год		Активный	4 (72 часа)						Соответствует RoHS						4-СМД, без свинца					Поверхностный монтаж	-55°К~125°К	Светоотражающий				Фототранзистор															20 мА	1,7 В				0,050 (1,27 мм)					2В		25 мА	30 В	30 В						890 нм				50 мА
	SHARP/Цокольная технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1			Винт		Масса			Снято с производства	1 (без блокировки)						Соответствует RoHS		Олово		3	ОПИК ВЫХОД	Модуль, Разъем		неизвестный			Крепление на шасси	-10°С~70°С	Светоотражающий		е3		Фотодиод		4,75 В			5,25 В			9 мм	8 мм		1							1 мс	ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ	0,079 ~ 0,866 (2 мм ~ 22 мм) РЕГУЛИРОВКА	0,40-4,50 В															ПЛАСТИК	22 мм	2 мм
	Электронные компоненты Panasonic	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	2003 г.		Устаревший	4 (72 часа)		85°С	-25°С		3,4 мм	Соответствует RoHS	Без свинца			4		4-СМД			1,5 мм	2,7 мм	Поверхностный монтаж	-25°К~85°К	Светоотражающий				Фототранзистор													20 мА			1,2 В		30 мкс, 40 мкс		0,039 (1 мм)				35В			20 мА	35В		30 мкс			35В	20 мА					50 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель	Крепление на шасси		Масса	2008 год		Активный	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Соответствует RoHS	Без свинца			4		Модуль предварительно смонтированный	Нет СВХК				Крепление на шасси	-40°К~80°К	Светоотражающий	40 мА			Фототранзистор										30 В					40 мА	1,7 В				0,150 (3,81 мм)					2В	2В		30 В	30 В				30 В		890 нм				40 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель	Крепление на шасси		Масса	1997 год		Активный	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Соответствует RoHS				4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси	-40°К~80°К	Светоотражающий	40 мА			Фототранзистор			1							30 В					20 мА	1,8 В				0,150 (3,81 мм)					2В			30 В	30 В				30 В		890 нм				40 мА
	Опто-полупроводники OSRAM	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Лента и катушка (TR)			Устаревший	4 (72 часа)						Соответствует ROHS3						6-СМД					Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Светоотражающий				Фототранзистор																		30 мкс, 40 мкс		0,197 (5 мм)													30 В	10 мА					50 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель	Крепление на шасси		Масса	2008 год		Активный	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Соответствует RoHS	Без свинца			4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси	-40°К~80°К	Светоотражающий				Фототранзистор															40 мА	1,8 В				0,220 (5,59 мм)					2В		30 мА	24В	24В				24В	30 мА	890 нм				50 мА
	ООО «Адафрут Индастриз»	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель			Масса			Активный	1 (без блокировки)												Модуль, контакты ПК, активируемый датчик					Сквозное отверстие		Светоотражающий				Фототранзистор
	Электронные компоненты Panasonic	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	2005 г.		Устаревший	4 (72 часа)					2,9 мм	Соответствует RoHS	Без свинца					Модуль 4-СМД			880 мкм	2,3 мм	Поверхностный монтаж		Светоотражающий				Фототранзистор																1,15 В				0,039 (1 мм)				35В			20 мА	35В		40 мкс			35В	20 мА					30 мА
	Острая микроэлектроника	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Поверхностный монтаж		Масса	1997 год		Устаревший	1 (без блокировки)						Не соответствует требованиям RoHS				4	2 В ВЦЭ	4-СМД		неизвестный			Поверхностный монтаж	-25°К~85°К	Светоотражающий		е0	Олово/Свинец (Sn/Pb)	Фотодарлингтон											1		50 мА		50 мА	1,2 В		80 мкс, 70 мкс	ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ	0,031 (0,8 мм)		100мВт	6В				50 мА	35В	35В	400 мкс	400 мкс						0,7 мм	0,7 мм
	Электронные компоненты Panasonic	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Масса	2008 год	да	Устаревший	1 (без блокировки)											0,50 В, ВКЭ	Монтаж на печатной плате					Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Светоотражающий				Фототранзистор	НЕТ	1,2 В	1	Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики	1,5 В		10,6 мм	4 мм	6 мм					30 В			ПРИПАЙКА	6 мкс, 6 мкс	ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ	0,118 (3 мм)												0,5 В	30 В	20 мА			3 мм	3 мм	50 мА
	Карло Гавацци Инк.	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	10 недель			Масса	2007 год		Активный	Непригодный						Соответствует RoHS						Модуль, выводы проводов					Крепление на шасси	-20°К~60°К	Светоотражающий																						25 мс		393 701 (10 м)
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Крепление на раму, винт		Масса	1997 год		Устаревший	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Не соответствует требованиям RoHS				4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси		Светоотражающий				Фототранзистор											1				40 мА	1,7 В				0,149 (3,8 мм)		100мВт	2В		2В		25 мА	30 В	30 В				30 В	25 мА	890 нм				40 мА
	ТТ Электроникс / Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1
	Опто-полупроводники OSRAM	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Лента и катушка (TR)			Устаревший	4 (72 часа)						Соответствует ROHS3						6-СМД					Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Светоотражающий				Фототранзистор																		30 мкс, 40 мкс		0,197 (5 мм)													30 В	10 мА					50 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	10 недель	Сквозное отверстие		Масса	2007 год		Устаревший	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	1,7 В		Соответствует RoHS				4		Монтаж на печатной плате					Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Светоотражающий				Фототранзистор											1				20 мА	1,7 В				0,050 (1,27 мм)		100мВт	2В	30 В	2В		25 мА	30 В	30 В				30 В	25 мА	890 нм				50 мА
	Марктех Оптоэлектроника	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель	Сквозное отверстие		Масса	2011 г.		Активный	2 (1 год)						Соответствует RoHS						Радиальный – 4 отведения					Сквозное отверстие	-20°К~80°К	Светоотражающий				Фотодиод							4 мм		3 мм								ПРИПАЙКА	1 мкс		1,5 мм																	1,5 мм	0,5 мм	30 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	10 недель	Сквозное отверстие		Масса	2009 год		Устаревший	1 (без блокировки)		85°С	-40°С	1,7 В		Соответствует RoHS			Нет	4		Монтаж на печатной плате					Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Светоотражающий				Фотодарлингтон											1				40 мА	1,7 В				0,150 (3,81 мм)		100мВт	2В		2В			15 В	15 В				15 В		935 нм				40 мА
MTRS6014C	Марктех Оптоэлектроника	35,8826	добавить в корзину Мин: 1 Мульт: 1	скачать	6 недель						Активный	5А (24 часа)						Соответствует RoHS						4-СМД, без свинца					Поверхностный монтаж	-20°К~80°К	Светоотражающий				Фотодиод																				0,020–0,059 (0,50–1,50 мм)																			40 мА
	РОМ Полупроводник	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1			Сквозное отверстие		Масса	2010 год		Не для новых дизайнов	1 (без блокировки)	Сквозное отверстие				6,4 мм	Соответствует ROHS3	Без свинца	Медь, Серебро, Олово	Нет	4		4-DIP-модуль			6,5 мм	4,9 мм	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Светоотражающий				Фототранзистор			1	Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики	3,8 В	80мВт						0,8 мА			20 мА	3,5 В			ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ	0,236 (6 мм)	0,08-0,80 мА	100мВт				5В	30 мА	30 В	30 В	10 мкс	10 мкс	0,3 В			470 нм
	Омрон	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Крепление на шасси		Масса	1997 год		Устаревший	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Не соответствует требованиям RoHS				4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси	-40°К~80°К	Светоотражающий				Фототранзистор											1				20 мА	1,8 В				0,150 (3,81 мм)		100мВт	2В		2В			30 В	30 В				30 В		890 нм				40 мА
	Стэнли Электрик	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Лента и катушка (TR)			Активный	4 (72 часа)												4-СМД, без свинца					Поверхностный монтаж	-30°К~85°К	Светоотражающий				Фототранзистор																		10 мкс		0,039 (1 мм)													20 В	20 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие		Масса	1997 год		Устаревший	1 (без блокировки)		85°С	-40°С			Не соответствует требованиям RoHS				4		Монтаж на печатной плате					Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Светоотражающий				Фототранзистор															40 мА	1,8 В				0,220 (5,59 мм)					2В		30 мА	24В	24В				24В	30 мА	890 нм				50 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	10 недель	Сквозное отверстие	Пластик	Масса	1997 год		Активный	1 (без блокировки)	Проволока	85°С	-40°С	1,7 В		Соответствует RoHS	Без свинца			4		4-DIP-модуль	Нет СВХК			6,1 мм	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Светоотражающий	20 мА			Фототранзистор										24В					50 мА	1,7 В				0,05 (1,27 мм)		75мВт		24В	2В	2В	25 мА	24В	30 В				24В	25 мА	935 нм				50 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Крепление на шасси		Масса	1997 год		Устаревший	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Не соответствует требованиям RoHS				4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси	-40°К~80°К	Светоотражающий				Фототранзистор															20 мА	1,8 В				0,150 (3,81 мм)					2В			30 В	30 В				30 В		890 нм				40 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	12 недель	Крепление на шасси		Масса	2009 год		Активный	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Соответствует RoHS				4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси		Светоотражающий				Фототранзистор											1				40 мА	1,7 В				0,149 (3,8 мм)		100мВт	2В		2В		6мА	30 В	30 В				30 В	6мА	890 нм				40 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать	8 недель	Крепление на шасси		Масса	2008 год		Активный	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Соответствует RoHS	Без свинца		Нет	4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси		Светоотражающий	40 мА			Фототранзистор			1							30 В	1				40 мА	1,7 В				0,150 (3,81 мм)		100мВт	2В	30 В	2В		25 мА	30 В	30 В				30 В	25 мА	890 нм				40 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Крепление на шасси		Масса	2008 год		Устаревший	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Соответствует RoHS				4		Модуль предварительно смонтированный					Крепление на шасси	-40°К~80°К	Светоотражающий				Фототранзистор															40 мА	1,8 В				0,220 (5,59 мм)					2В		30 мА	24В	24В				24В	30 мА	890 нм				50 мА
	ТТ Электроникс/Оптек Технология	0,0000	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Винт, сквозное отверстие		Масса	1997 год		Устаревший	1 (без блокировки)		80°С	-40°С			Не соответствует требованиям RoHS				4		Монтаж на печатной плате					Сквозное отверстие		Светоотражающий				Фототранзистор											1				40 мА	1,7 В				0,150 (3,81 мм)		100мВт	2В		2В		25 мА	30 В	30 В				30 В	25 мА	890 нм				40 мА