Позвоните нам:+86 0755-82563503
Валюта:$ Доллар США
Предметы :%s%s
Модули памяти
Дополнительная функция
- АВТООБНОВЛЕНИЕ
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В.
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; СИДЯЩИЙ ХГТ-НОМ; WD-MAX
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В.
- АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; СИДЯЩИЙ ХГТ-НОМ
- ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX
- ОБНОВИТЬ; WD-MAX
- АВТОМАТИЧЕСКОЕ ОБНОВЛЕНИЕ
- АВТОМАТИЧЕСКОЕ ОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX
- САМОБНОВЛЕНИЕ
- САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,5 В НОМ; WD-MAX
- САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX
- WD-MAX
Контактное покрытие
- Золото
- Олово
ECCN-код
- EAR99
Срок выполнения заказа на заводе
- 1 неделя
- 10 недель
- 11 недель
- 111 недель
- 12 недель
- 13 недель
- 14 недель
- 16 недель
- 17 недель
- 2 недели
- 20 недель
- 26 недель
- 28 недель
- 3 недели
- 4 недели
- 5 недель
- 6 недель
- 7 недель
- 8 недель
- 9 недель
Код HTS
- 8473.30.11.80
- 8542.31.00.01
- 8542.32.00.28
- 8542.32.00.36
- 8542.32.00.71
- 8542.39.00.01
Код JESD-609
- е0
- е1
- е3
- е4
Максимальная рабочая температура
- 55°С
- 65°С
- 70°С
- 85°С
- 90°С
- 95°С
Производитель
- Ускоренное производство Памяти, Инк.
- Адвантек Корп
- Apacer Память Америка
- АТП Электроникс, Инк.
- Микрон Технология Инк.
- Ренесас Электроникс Америка Инк.
- Свиссбит
- Терасик Инк.
- ООО «Виртиум»
Минимальная рабочая температура
- -40°С
- 0°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
- 1 (без блокировки)
- 1 (без блокировки)
- 2 (1 год)
- 3 (168 часов)
- 3 (168 часов)
- 4 (72 часа)
- Непригодный
- Поставщик не определен
Установить
- DIN-рейка
- Винт
- Розетка
Количество функций
- 1
Количество контактов
- 10
- 100
- 144
- 168
- 172
- 184
- 200
- 204
- 240
- 244
- 260
- 288
- 388
Количество окончаний
- 10
- 100
- 144
- 168
- 184
- 200
- 204
- 240
- 244
- 260
- 284
- 288
- 289
- 30
- 388
Пакет/ключи
- 100-UDIMM
- 144-СО-УДИММ
- 144-SODIMM
- 144-УДИММ
- 168-DIMM
- 168-РДИММ
- 168-УДИММ
- 172-УДИММ
- 184-DIMM
- 184-РДИММ
- 184-УДИММ
- 200-РДИММ
- 200-SODIMM
- 200-СОРДИММ
- 200-УДИММ
- 204-МиниRDIMM
- 204-МиниУДИММ
- 204-РДИММ
- 204-СО-УДИММ
- 204-SODIMM
- 204-УДИММ
- 240-DIMM
- 240-ФБДИММ
- 240-LRDIMM
- 240-РДИММ
- 240-SODIMM
- 240-УДИММ
- 240-XRDIMM
- 244-DIMM
- 244-МДИММ
- 244-МиниRDIMM
- 244-МиниУДИММ
- 253-LFBGA, FCCSPBGA
- 260-СО-УДИММ
- 260-SODIMM
- 260-СОРДИММ
- 260-УДИММ
- 262-SODIMM
- 288-DIMM
- 288-LRDIMM
- 288-МиниRDIMM
- 288-МиниУДИММ
- 288-NVDIMM
- 288-НВРДИММ
- 288-РДИММ
- 288-SODIMM
- 288-УДИММ
- Модуль краевого картриджа на 30 карт.
- 388-ББГА
- Модуль
Упаковка
- Ведро
- Масса
- Лента и катушка
- Лента и катушка (TR)
- Поднос
Статус детали
- Активный
- Снято с производства
- Последняя покупка
- Не для новых дизайнов
- Устаревший
Код Pbfree
- нет
- да
Пиковая температура оплавления (Цел)
- 225
- 235
- 260
- НЕ УКАЗАН
Номинальная мощность
- 1 Вт
Опубликовано
- 1999 год
- 2000 г.
- 2001 г.
- 2002 г.
- 2003 г.
- 2004 г.
- 2005 г.
- 2006 г.
- 2007 год
- 2008 год
- 2009 год
- 2010 год
- 2011 г.
- 2012 год
- 2013 год
- 2014 год
- 2015 год
- 2016 год
- 2017 год
Ряд
- *
- -
- CIPOSMini
- DDR4 SDRAM
- DDR5 SDRAM SO-DIMM
- DDR5 SDRAM UDIMM
- е230
- 500 евро
- Эвербит™ Ю-46
- Флэштек™
- КХД94
- НексМод™
- RealSSD™
- SQR-RD4N
- SQR-SD3N
- SQR-SD4(ECC)
- SQR-SD4N
- SQR-UD4(ECC)
- СКР-УД4Н
- У-110
- У-400
- Ю-45
- Ю-450
- Ю-46
- Ю-48
- Ю-50
- У-500
- Ю-56
- Ю-58
- W2EU
- W7EU
- XR-DIMM™
Подкатегория
- ДРАМ
- Сетевые интерфейсы
- Другие микросхемы памяти
- СРАМ
Напряжение питания
- 1,2 В
- 1,35 В
- 1,5 В
- 1,8 В
- 2,5 В
- 2,6 В
- 3,3 В
- 5В
Поверхностный монтаж
- НЕТ
- ДА
Технология
- КМОП
Терминальные отделки
- ЗОЛОТО
- Золото (Ау)
- МАТОВАЯ ТУНКА
- Матовый олово (Sn)
- МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ
- Оловянный свинец
- ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ
- Олово/Свинец (Sn/Pb)
Терминальная форма
- МЯЧ
- НЕТ ЛИДЕСА
- НЕУКАЗАНО
Терминал Питч
- 0,45 мм
- 0,5 мм
- 0,61 мм
- 0,6 мм
- 0,85 мм
- 0,8 мм
- 1,27 мм
- 1 мм
Положение терминала
- НИЖНИЙ
- ДВОЙНОЙ
- ОДИНОКИЙ
- НЕУКАЗАНО
- ЗИГ-ЗАГ
Напряжение — номинальный постоянный ток
- 3,3 В
- 5В
Масса
- 199,999989г
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | ЭКАД | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Техническая спецификация | Срок выполнения заказа на заводе | Установить | Упаковка | Опубликовано | Ряд | Код Pbfree | Статус детали | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Количество окончаний | ECCN-код | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочее напряжение питания | Количество портов | Длина | Статус RoHS | Без свинца | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество контактов | Дополнительная функция | Пакет/ключи | Имен | Максимальное напряжение питания | Достичь соответствия кода | Минимальное напряжение питания | Плотность | Частота | Высота | Ширин | Производитель | Напряжение — номинальный постоянный ток | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Код HTS | Количество функций | Макс. частота | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество контактов | Температурный класс | Поверхностный монтаж | Терминал Питч | Код JESD-30 | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Подкатегория | Статус квалификации | Источники питания | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Naprayeseee | Количество элементов | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Размер | Тип | Максимальный ток питания | Организация | Шirina pAmayti | Плотность памяти | Ширина шины данных | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Тактовая частота | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AQD-D3L4GN16-SG | Адвантек Корп | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 2 недели | 2014 год | Снято с производства | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 240-УДИММ | 1600 Мбит/с | 4ГБ | DDR3L SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AMP4R02GE14F1SP-C4H | Ускоренное производство Памяти, Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | - | 288-DIMM | Ускоренное производство Памяти, Инк. | 16 ГБ | Модуль памяти DDR4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF12872KY-40EA1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2005 г. | Снято с производства | 1 (без блокировки) | 55°С | 0°С | 1,8 В | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 244 | 244-МиниRDIMM | 18,2 мм | 400 МГц | 400 МТ/с | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SFUI032GJ1AB2TO-I-GS-2A1-STD | Свиссбит | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 20 недель | 2016 год | Ю-45 | Последняя покупка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль | 32 ГБ | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT18HTF6472AY-53EB2 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2010 год | да | Снято с производства | 1 (без блокировки) | 240 | 85°С | 0°С | 1,8 В | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 240 | 240-УДИММ | 30 мм | КМОП | 533 МГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 225 | 1,8 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕТ | 1 мм | ДРАМ | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 3,06 мА | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 72б | 267 МГц | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT8HTF6464HDY-40EB3 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2010 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 200 | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 200 | 200-SODIMM | неизвестный | 30 мм | КМОП | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕТ | 0,6 мм | 65°С | ДРАМ | Не квалифицированный | 1,8 В | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 1,6 мА | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04 А | 0,6 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | МТА18АСФ1Г72ПЗ-2Г1А2 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2015 год | Устаревший | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | 1,2 В | Соответствует ROHS3 | Золото | 288 | 288-РДИММ | 1,26 В | 1,14 В | 1,07526 ГГц | 2133МТ/с | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT9HTF12872RHZ-80EH1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2010 год | да | Устаревший | 3 (168 часов) | 200 | 70°С | 0°С | 1,8 В | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 200 | 200-СОРДИММ | 1,9 В | 1,7 В | КМОП | 800 МГц | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 0,6 мм | Другие микросхемы памяти | 9 | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 128MX72 | 72 | 72б | 400 МГц | 0,063А | 0,4 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQD-SD4L4GN24-HGI | Адвантек Корп | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 4 недели | 2017 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 260-SODIMM | 2400 Мбит/с | 4ГБ | DDR4 SDRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT36JSF1G72PZ-1G4K1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 2013 год | Устаревший | 3 (168 часов) | 240 | 70°С | 0°С | 1,5 В | 1 | 133,35 мм | Соответствует ROHS3 | 240 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 240-РДИММ | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | 1 | 1333 ГГц | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,5 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕТ | 1,425 В | 1575 В | 1333 МТ/с | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | 72б | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT8HTF12864AY-1GAE1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 2010 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240 | 240-УДИММ | 1066МТ/с | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAR002SAJ-1M2IT | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 16 недель | 2013 год | Не для новых дизайнов | 1 (без блокировки) | 10 | 36,9 мм | Соответствует ROHS3 | Модуль | USB | 16 Гб | 26,6 мм | 3,3 В | КМОП | 9,7 мм | 8542.31.00.01 | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | НЕ УКАЗАН | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ДА | Р-XXMA-N10 | 85°С | -40°С | 3,3 В | 2 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT9HVF12872PZ-667H1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2005 г. | Устаревший | 3 (168 часов) | 240 | 70°С | 0°С | 1,8 В | 1 | 133,35 мм | Соответствует ROHS3 | Нет | 240 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 240-РДИММ | 1,9 В | 1,7 В | КМОП | 18 мм | 8542.32.00.36 | 1 | 667 МГц | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 мм | Другие микросхемы памяти | 9 | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 1665 мА | 128MX72 | 72 | 333 МГц | 0,063А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT18JSF51272PDZ-1G1D1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2010 год | Устаревший | 3 (168 часов) | 240 | EAR99 | 70°С | 0°С | 1,5 В | 1 | 133,35 мм | Соответствует ROHS3 | 240 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 240-РДИММ | 1575 В | неизвестный | 1,425 В | 30,175 мм | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 4 мм | 8542.32.00.36 | 1 | 1066 ГГц | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,5 В | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 мм | Другие микросхемы памяти | Не квалифицированный | 18 | 1066МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 3123 мА | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | 533 МГц | 0,216А | 0,3 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AG-265G4 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | Масса | 2002 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | 184 | 70°С | 0°С | 2,5 В | Не соответствует требованиям RoHS | Содержит свинец | 184 | 184-УДИММ | 2,7 В | не_совместимо | 2,3 В | 31,8 мм | КМОП | 266 МГц | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,27 мм | Другие микросхемы памяти | Не квалифицированный | 9 | 266МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256 МБ | ГДР SDRAM | 3285 мА | 32MX72 | 72 | 133 МГц | 0,036А | 0,75 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672DY-40ED1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2002 г. | Снято с производства | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 240 | 240-РДИММ | 30 мм | 400 МТ/с | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT16JSF51264HZ-1G1D1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2011 г. | Устаревший | 3 (168 часов) | 204 | 70°С | 0°С | 1,5 В | Соответствует ROHS3 | 204 | 204-SODIMM | 1575 В | неизвестный | 1,425 В | КМОП | 1066 ГГц | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | КОММЕРЧЕСКИЙ | 0,6 мм | ДРАМ | Не квалифицированный | 1,53,3 В | 16 | 1066МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 2656 мА | 512MX64 | 64 | 34359738368 бит | 533 МГц | 0,192А | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА36АСФ4Г72ПЗ-2Г6Е1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 14 недель | 2017 год | Активный | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 2666МТ/с | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT8HTF12864AZ-667H1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2012 год | Устаревший | 3 (168 часов) | 240 | EAR99 | 70°С | 0°С | 1,8 В | 1 | 133,35 мм | Соответствует ROHS3 | Нет | 240 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 240-УДИММ | 1,9 В | 1,7 В | 2,7 мм | КМОП | 30,5 мм | 1 | 667 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 мм | ДРАМ | 8 | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64 | 333 МГц | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT4LSDT1664AY-133G1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Розетка | 2002 г. | Устаревший | 3 (168 часов) | 168 | 65°С | 0°С | 3,3 В | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 168 | 168-УДИММ | 3,6 В | 3В | 133 МГц | КМОП | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,27 мм | ДРАМ | 4 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 128 МБ | SDRAM | 1,08 мА | 64 | 64б | 0,008А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA4ATF51264HZ-3G2E1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 11 недель | Активный | 260 | EAR99 | 1 | 69,6 мм | Соответствует RoHS | WD-MAX | 260-SODIMM | совместимый | 2,5 мм | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,13 мм | 1 | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | НЕ УКАЗАН | ДРУГОЙ | НЕТ | Р-XZMA-N260 | 1,14 В | 95°С | 1,26 В | 3200МТ/с | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 512MX64 | 64 | 34359738368 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF51272PDZ-1G6K1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 3 недели | 2015 год | Активный | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 240 | 240-РДИММ | 800 МГц | 1600 МТ/с | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 72б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КСФ1Г72ПЗ-1Г6П1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 5 недель | Розетка | Активный | 3 (168 часов) | 240 | EAR99 | 70°С | 0°С | 1 | 133,35 мм | Соответствует ROHS3 | Золото | 240 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 240-РДИММ | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | 1 | 800 МГц | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 мм | 1,283 В | 1,45 В | 1600 МТ/с | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | 72б | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872FY-53EA4E3 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Масса | 2005 г. | Снято с производства | 1 (без блокировки) | 240 | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 240 | 240-ФБДИММ | неизвестный | 30,4 мм | КМОП | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | ДРУГОЙ | НЕТ | 1 мм | 95°С | Другие микросхемы памяти | Не квалифицированный | 1,51,8 В | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | 266 МГц | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9KSF51272AZ-1G6P1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 3 недели | Активный | 3 (168 часов) | 240 | EAR99 | 1 | 133,35 мм | Соответствует ROHS3 | 240 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 240-УДИММ | 2,7 мм | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕТ | 1 мм | 1,283 В | 70°С | 1,45 В | 1600 МТ/с | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT9HTF6472PZ-667G1 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 2014 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | 240 | 70°С | 0°С | 1,8 В | Соответствует ROHS3 | Нет | 240 | 240-РДИММ | КМОП | 667 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕТ | 1 мм | Другие микросхемы памяти | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 1,26 мА | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 72б | 333 МГц | 0,063А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24M72E8BLK0S | АТП Электроникс, Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 6 недель | Активный | Модуль | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24P6418BLH9M | АТП Электроникс, Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 6 недель | Активный | Модуль | 8 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛ48М72Х8БЛФ8М | АТП Электроникс, Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 6 недель | Активный | Модуль | 16 ГБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864AY-53EB4 | Микрон Технология | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 2002 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 240 | 240-УДИММ | 533 МТ/с | 1 ГБ | DDR2 SDRAM |
-
- AMP4R02GE14F1SP-C4H Ускоренное производство Памяти, Инк.
МОД DDR4 16 ГБ 2400 МБ/с 288DIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
-
- MT8HTF6464HDY-40EB3 Микрон Технология
МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 512 МБ 200SODIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
- MT9HTF12872RHZ-80EH1 Микрон Технология
Модуль DRAM DDR2 SDRAM 1 ГБ, лоток 200SORDIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
- MT36JSF1G72PZ-1G4K1 Микрон Технология
Модуль DRAM DDR3 SDRAM 8 ГБ 240RDIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
- MT9HVF12872PZ-667H1 Микрон Технология
Модуль DRAM DDR2 SDRAM 1 ГБ 240RDIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
-
- MT16JSF51264HZ-1G1D1 Микрон Технология
Модуль DRAM DDR3 SDRAM 4 ГБ 204SODIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
- MT4LSDT1664AY-133G1 Микрон Технология
Модуль DRAM SDRAM 128 МБ, лоток 168UDIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
- MT18KSF51272PDZ-1G6K1 Микрон Технология
Модуль DRAM DDR3 SDRAM 4 ГБ 240RDIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
- MT9HTF12872FY-53EA4E3 Микрон Технология
МОДУЛЬ DDR2 SDRAM 1 ГБ 240FBDIMM
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
- AQ24M72E8BLK0S АТП Электроникс, Инк.
8 ГБ 240-контактный НЕБУФЕРИЗИРОВАННЫЙ МОДУЛЬ ECC
Цена: 0.0000
запросить цену - AQ24P6418BLH9M АТП Электроникс, Инк.
8 ГБ, 240 PIN, VLP, НЕБУФЕРИРОВАННЫЙ, NON E
Цена: 0.0000
запросить цену - АЛ48М72Х8БЛФ8М АТП Электроникс, Инк.
16 ГБ, 240-контактный ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ МОДУ ECC
Цена: 0.0000
запросить цену -
Нужна помощь?
