Позвоните нам:+86 0755-82563503

Предметы :%s%s

Память

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) ЭКАД Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Техническая спецификация Срок выполнения заказа на заводе Установить Упаковка Опубликовано Ряд Код Pbfree Статус детали Уровень чувствительности к влаге (MSL) Количество окончаний ECCN-код Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Рабочее напряжение питания Количество портов Длина Статус RoHS Без свинца Контактное покрытие Радиационная закалка Количество контактов Дополнительная функция Пакет/ключи Имен Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Плотность Высота Ширин Толщина Тип монтажа Рабочая температура Технология Режим работы Высота сидя (Макс.) Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Базовый номер детали Количество контактов Температурный класс Поверхностный монтаж Терминал Питч Код JESD-30 Минимальное напряжение питания (Vsup) Подкатегория Статус квалификации Источники питания Напряжение питания-Макс (Vsup) Naprayeseee Поставщик пакета оборудования Выходные характеристики Время доступа Уровень скрининга Размер Тип Ширина адресной Максимальный ток питания Напряжение питания Организация Шirina pAmayti Плотность памяти Синхронизация/Асинхронность Ширина шины данных Тактовая частота Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Размер слова Альтернативная ширина памяти Время хранения данных-мин Выносливость Защита от записей Максимальное время записи цикла (tWC) Тип ввода/вывода Программирование напряжения Опрос данных Переключить бит Командный пользовательский интерфейс Количество секторов/размер Размер страницы Готов/Занят Общий интерфейс Flash Тип постоянной поездки Байт управления I2C Обратная распиновка Циклы обновлений Формат памяти ИНЕРФЕРСП Время цикла записи — Word, Page Размер сектора Последовательная длина пакета Длина очередного пакета Загрузочный блок
MTFC32GJVED-3M WT MTFC32GJVED-3M WT Микрон Технология Инк. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Поднос 2013 год e•MMC™ Устаревший 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 169-ВФБГА Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА ФЛЕШ-НЕ-НЕ 8542.31.00.01 МТФК32Г 256Гб 32Гб х 8 Энергонезависимый 2,7 В~3,6 В ВСПЫШКА ММК
IS42S32400F-6BLI ИС42С32400Ф-6БЛИ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 11.8709
добавить в корзину

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 8 недель Поверхностный монтаж Поднос Активный 3 (168 часов) 90 EAR99 3,3 В 1 13 мм Соответствует ROHS3 Нет 90 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 90-ТФБГА 128 Мб Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА SDRAM 1,2 мм 8542.32.00.02 1 150 мА НИЖНИЙ 3,3 В 90 0,8 мм 3,6 В 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5,4 нс 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 14б 3В~3,6В 4MX32 32 32б 166 МГц 0,002А ОБЩИЙ 4096 ДРАМ Параллельно 1248ФП 1248
6116SA55DB 6116SA55DB Ренесас Электроникс Америка Инк. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 15 недель Поднос Активный 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 24-ЦДИП (0,600, 15,24 мм) Сквозное отверстие -55°С~125°С ТА SRAM — асинхронный IDT6116 16Кб 2К х 8 Неустойчивый 4,5 В~5,5 В СРАМ Параллельно 55нс
MT29F64G08TAAWP:A TR MT29F64G08TAAWP: ТР Микрон Технология Инк. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Лента и катушка (TR) 2012 год Устаревший 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) Поверхностный монтаж 0°С~70°С ТА ФЛЕШ-НЕ-НЕ MT29F64G08 64 ГБ 8 ГБ х 8 Энергонезависимый 2,7 В~3,6 В ВСПЫШКА Параллельно
S99GL128P90TFIR10 S99GL128P90TFIR10 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Масса Устаревший Поставщик не определен
24LC01BT-E/MC 24LC01BT-E/MC Микрочиповая технология 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 6 недель Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 2007 г. да Активный 1 (без блокировки) 8 EAR99 2 мм Соответствует ROHS3 Без свинца Олово Нет 8 8-ВФДФН Открытая площадка 2-проводной, I2C, последовательный 1 КБ 3 мм Поверхностный монтаж -40°С~125°С ТА КМОП 1 мм 1 3мА е3 ДВОЙНОЙ 260 40 24LC01B 8 0,5 мм 2,5 В 3/5 В 5,5 В 3500 нс 1Кб 128х8 Энергонезависимый 2,5 В~5,5 В 8 400 кГц 0,000005А 200 1000000 циклов записи/стирания АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ 5 мс I2C 1010XXXR НЕТ ЭСППЗУ I2C 5 мс
IS42S83200J-7BL ИС42С83200ДЖ-7БЛ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Поднос Активный 3 (168 часов) 54 1 8 мм Соответствует ROHS3 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 54-ТФБГА 8 мм Поверхностный монтаж 0°С~70°С ТА SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В НЕ УКАЗАН ДА 0,8 мм С-ПБГА-Б54 3,6 В 5,4 нс 256Мб 32М х 8 Неустойчивый 3В~3,6В 32MX8 8 268435456 бит 143 МГц ДРАМ Параллельно
IS61NLP25672-200B1I-TR ИС61НЛП25672-200Б1И-ТР ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Лента и катушка (TR) Активный 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 209 209-БГА Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА SRAM – синхронный, SDR 3,1 нс 18Мб 256К х 72 Неустойчивый 3135~3465В 200 МГц СРАМ Параллельно
S29GL256P90TFIM20D S29GL256P90TFIM20D Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Масса Устаревший Поставщик не определен
M58WR032KB7AZB6E M58WR032KB7AZB6E Микрон Технология Инк. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Поднос 2009 год да Устаревший 3 (168 часов) 56 3A991.B.1.A 1,8 В 9 мм Соответствует ROHS3 Нет 56 56-ВФБГА Параллельный, последовательный 32 Мб Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА ВСПЫШКА – НО 1 мм 8542.32.00.51 1 30 мА е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НИЖНИЙ 260 1,8 В 30 M58WR032 56 ДА 0,75 мм 1,7 В 32Мб 2М х 16 Энергонезависимый 21б 1,7 В~2 В 2MX16 16 Асинхронный 66 МГц 0,00005А 70 нс 16б НЕТ НЕТ 863 4 слова ВСПЫШКА Параллельно 70нс 4К32К НИЖНИЙ
7140LA20JG 7140LA20JG Технология интегрированных устройств (IDT) 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 7 недель Поверхностный монтаж 2013 год Активный 70°С 0°С 2 19 мм Соответствует RoHS Без свинца Нет 52 ПЛКК Параллельно 5,5 В 4,5 В 8 КБ 19 мм 3,63 мм 200 мА 20 нс 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 20б Асинхронный
CG8662AAT CG8662AAT Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Устаревший Поставщик не определен
CG7765AA CG7765AA Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Устаревший Поставщик не определен Соответствует RoHS
93LC56AXT-I/SN 93LC56AXT-I/СН Микрочиповая технология 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 6 недель Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 2008 год да Активный 1 (без блокировки) 8 EAR99 4,9 мм Соответствует ROHS3 Без свинца Олово Нет 8 1000000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ МИН; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ > 200 ЛЕТ 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Серийный 2 КБ 3,9 мм Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА КМОП 1,75 мм 1 2мА е3 ДВОЙНОЙ 260 40 93LC56A 8 1,27 мм 2,5 В 3/5 В 5,5 В 250 нс 2Кб 256х8 Энергонезависимый 2,5 В~5,5 В 8 2 МГц 0,000001А 200 1000000 циклов записи/стирания ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ 6 мс МИКРОПРОВОД ЭСППЗУ СПИ 6 мс
CG8228AAT CG8228AAT Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Устаревший Поставщик не определен
M95256-RMN6P M95256-RMN6P СТМикроэлектроника 0,2807
добавить в корзину

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Поверхностный монтаж Трубка Устаревший 1 (без блокировки) 8 EAR99 4,9 мм Соответствует ROHS3 Нет 8 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) СПИ, серийный 256 КБ 3,9 мм Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА КМОП 1,75 мм 1 3мА е4 Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 30 M95256 8 1,27 мм 150 нс 256Кб 32К х 8 Энергонезависимый 1,8 В~5,5 В 8 20 МГц 0,000003А 40 1000000 циклов записи/стирания АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ 5 мс СПИ ЭСППЗУ СПИ 5 мс
70V38L20PF8 70В38Л20ПФ8 Ренесас Электроникс Америка Инк. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Лента и катушка (TR) Устаревший 3 (168 часов) Не соответствует требованиям RoHS 100-LQFP Поверхностный монтаж 0°С~70°С ТА SRAM — двухпортовый, асинхронный ИДТ70В38 1125 МБ 64К х 18 Неустойчивый 3В~3,6В СРАМ Параллельно 20 нс
S29GL128P11FFI013 S29GL128P11FFI013 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 2003 г. ГЛ-П Устаревший 3 (168 часов) 64 3A991.B.1.A 13 мм Соответствует ROHS3 Нет 64 64-ЛБГА 128 Мб 11 мм Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА ВСПЫШКА – НО 1,4 мм 8542.32.00.51 1 110 мА е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) НИЖНИЙ 260 40 1 мм 2,7 В 3/3,3 В 3,6 В 128Мб 16М х 8 Энергонезависимый 2,7 В~3,6 В 128MX1 1 Асинхронный 0,000005А 110 нс 8 ДА ДА ДА 128 8/16 слов ДА ДА ВСПЫШКА Параллельно 110 нс 128 тыс.
IS61DDB42M18C-250M3L ИС61ДДБ42М18К-250М3Л ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 Поднос Активный 3 (168 часов) 165 3A991.B.2.A 17 мм Соответствует ROHS3 165-ЛБГА 15 мм Поверхностный монтаж 0°С~70°С ТА SRAM — синхронный, DDR II 1,4 мм 8542.32.00.41 1 НИЖНИЙ 1,8 В ДА 1 мм Р-ПБГА-Б165 1,71 В 1,89 В 8,4 нс 36Мб 2М х 18 Неустойчивый 1,71 В~1,89 В 2MX18 18 37748736 бит 250 МГц СРАМ Параллельно
IS46DR16128C-3DBLA1 ИС46ДР16128К-3ДБЛА1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 8 недель Поднос Активный 3 (168 часов) 84 EAR99 1 12,5 мм Соответствует ROHS3 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 84-ТФБГА 8 мм Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм 1 НИЖНИЙ 1,8 В ДА 0,8 мм Р-ПБГА-Б84 1,7 В Не квалифицированный 1,8 В 1,9 В 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 450пс АЭК-Q100 2 ГБ 128 М х 16 Неустойчивый 0,485 мА 1,7 В~1,9 В 128MX16 16 2147483648 бит 333 МГц 0,03 А ОБЩИЙ 8192 ДРАМ Параллельно 15 нс 48 48
70T653MS10BC8 70Т653МС10ВС8 Технология интегрированных устройств (IDT) 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 7 недель Поверхностный монтаж Лента и катушка 2009 год нет Активный 3 (168 часов) 256 70°С 0°С 2,5 В 2 17 мм Соответствует RoHS Содержит свинец Нет 256 Параллельно 2,6 В 2,4 В 18 Мб 17 мм 1,4 мм КМОП 1,5 мм 1 810мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 20 256 КОММЕРЧЕСКИЙ 1 мм СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс ОЗУ, СРАМ 19б Асинхронный 36б ОБЩИЙ
AT24C02BN-SH-T AT24C02BN-SH-T Микрочиповая технология 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Лента и катушка (TR) 2005 г. Устаревший 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 Без свинца 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА ЭСППЗУ АТ24С02 8-СОИК 550 нс 2Кб 256х8 Энергонезависимый 1,8 В~5,5 В 1 МГц ЭСППЗУ I2C 5 мс
M34E02-FDW1TP M34E02-FDW1TP СТМикроэлектроника 0,1374
добавить в корзину

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 1 (без блокировки) 8 EAR99 3 мм Соответствует ROHS3 Без свинца Золото Нет 8 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 2-проводной, I2C, последовательный 2 КБ 1 мм 4,4 мм Поверхностный монтаж 0°С~70°С ТА КМОП 1 2мА ДВОЙНОЙ 2,5 В M34E02 8 0,65 мм 1,7 В 3,6 В 900 нс 2Кб 256х8 Энергонезависимый 1,7 В~3,6 В 400 кГц I2C ЭСППЗУ I2C 5 мс
IDT71V3557S80BQ8 IDT71V3557S80BQ8 Ренесас Электроникс Америка Инк. 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Лента и катушка (TR) Устаревший 3 (168 часов) Не соответствует требованиям RoHS 165-ТБГА Поверхностный монтаж 0°С~70°С ТА SRAM - синхронный, SDR (ZBT) ИДТ71В3557 165-КАБГА (13х15) 8нс 4,5 МБ 128К х 36 Неустойчивый 3135~3465В СРАМ Параллельно
CY7C1061G30-10ZXE CY7C1061G30-10ZXE Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 28 недель Поднос 2001 г. Активный 3 (168 часов) 48 3A991.B.2.A 18,4 мм Соответствует ROHS3 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) 12 мм Поверхностный монтаж -40°С~125°С ТА SRAM — асинхронный 1,2 мм 8542.32.00.41 1 ДВОЙНОЙ CY7C1061 ДА 0,5 мм Р-ПДСО-G48 2,2 В 3,6 В 16Мб 1М х 16 Неустойчивый 2,2 В~3,6 В 1MX16 16 16777216 бит 10 нс СРАМ Параллельно 10 нс
7015S17J 7015S17J Технология интегрированных устройств (IDT) 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 7 недель Поверхностный монтаж 2005 г. нет Активный 1 (без блокировки) 68 EAR99 70°С 0°С 2 24 мм Соответствует RoHS Содержит свинец Нет 68 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ ПЛКК Параллельно 5,5 В 4,5 В 72 КБ 24 мм 3,63 мм КМОП 4,57 мм 1 310 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 17 нс 9 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 26б 8КХ9 Асинхронный 0,015А ОБЩИЙ
S29GL512S11GHIV20 S29GL512S11GHIV20 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 13 недель Поднос 2017 год ГЛ-С Активный 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 56 56-ВФБГА Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА ВСПЫШКА – НО 110 нс 512Мб 32М х 16 Энергонезависимый 1,65 В~3,6 В ВСПЫШКА Параллельно 60нс
93C46AT-E/SN 93C46AT-E/SN Микрочиповая технология 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать 9 недель Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 2008 год да Активный 1 (без блокировки) 8 EAR99 4,9 мм Соответствует ROHS3 Без свинца Олово Нет 8 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Серийный 1 КБ 3,9 мм Поверхностный монтаж -40°С~125°С ТА КМОП 1,75 мм 1 2мА е3 ДВОЙНОЙ 260 40 93С46А 8 1,27 мм 250 нс 1Кб 128х8 Энергонезависимый 4,5 В~5,5 В 8 2 МГц 0,000005А 200 1000000 циклов записи/стирания ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ 6 мс МИКРОПРОВОД ЭСППЗУ СПИ 2 мс
AT29C020-15PI AT29C020-15PI Микрочиповая технология 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 скачать Трубка 1997 год Устаревший 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) Сквозное отверстие -40°К~85°К ТС ВСПЫШКА AT29C020 32-ПДИП 150 нс 2Мб 256К х 8 Энергонезависимый 4,5 В~5,5 В ВСПЫШКА Параллельно 10 мс
S29GL064S70TFI063 S29GL064S70TFI063 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация 0,0000
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0,00000000 13 недель Лента и катушка (TR) 2017 год ГЛ-С Активный 3 (168 часов) 48 18,4 мм Соответствует ROHS3 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) 14 мм Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА ВСПЫШКА – НО АСИНХРОННЫЙ 1,2 мм 8542.32.00.51 1 ДВОЙНОЙ ДА 0,5 мм Р-ПДСО-G48 2,7 В 3,6 В 70нс 64Мб 8М х 8 4М х 16 Энергонезависимый 2,7 В~3,6 В 8MX8 8 67108864 бит ВСПЫШКА Параллельно 60нс
SettingsНужна помощь?
Часто задаваемые вопросы

Как мне быстро найти ответы на мои вопросы?

Посетите раздел «Помощь и поддержка» нашего веб-сайта, чтобы найти информацию о заказе, доставке, доставке и многом другом.

Каков статус моего заказа?

Зарегистрацияированные пользователи могут отслеживать заказы из раскрывающегося списка своей учетной записи или нажать здесь. *Обновление статуса заказа может занять 12 часов после размещения первоначального заказа.

Как мне вернуть товар?

Пользователи могут начать процесс возврата, начиная с нашей страницы возврата.

Как узнать цену и наличие?

Котировки могут создавать зарегистрацияированные пользователи в myLists.

Как мне создать учетную запись «HK JDW»?

ПосетитеСтраница регистрацияациии введите необходимую информацию. После завершения регистрацияации вы получите подтверждение по электронной почте.

Сводная информация о Соединенном Королевстве/GBP
Fast Shipping Быстрая доставка

Заказы обычно доставляются в Великобританию в течение48 часовв зависимости от местоположения.

Free Shipping Бесплатная доставка

Бесплатная доставка в Великобританию при заказе на сумму от 33 фунтов стерлингов. Стоимость доставки в размере 12 фунтов стерлингов будет взиматься за все заказы стоимостью менее 33 фунтов стерлингов.

Incoterms Инкотермс

ДДП(Пошлины и таможенные пошлины оплачиваются HK JDW)

Payment Options Виды оплаты

Кредитный счет для квалифицированных учреждений и предприятий

Предоплата банковским переводом

Visa Mastercard American Express PayPal Apple Pay Google Pay

Marketplace Маркетплейс Продукт

Больше товаров отПолностью авторизованные партнеры

Среднее время доставки1-3 дня, может взиматься дополнительная плата за доставку. Пожалуйста, посетите страницу продукта, корзину и оформление заказа, чтобы узнать фактическую скорость доставки.

Инкотермс:КПП(Пошлины, таможенные пошлины и применимый НДС/налог, подлежащий уплате на момент доставки)

Для получения дополнительной информации посетите раздел «Справка и поддержка».