Позвоните нам:+86 0755-82563503
Валюта:$ Доллар США
Предметы :%s%s
Предварительно смещенные BJT-транзисторы
Дополнительная функция
- СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА БАИС 1.
- СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА БАИС СОСТАВЛЯЕТ 10.
- СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА БАИС СОСТАВЛЯЕТ 21.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ 0,213
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ 0,47
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 1
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 10
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 2,13
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ 2,14
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 21,36
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ 4,55
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ 4,68
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 4,7
- ВСТРОЕННОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СМЕЩЕНИЮ
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,21.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47; ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 1, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1,0.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1; ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,1.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,13.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,14.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21,27.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,5.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,55.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,76.
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 0,47
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2,14
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21,28
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21,36
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,5
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОМ 4 545
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,55
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,76
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 45,45
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,1.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,21.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,46.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47.
- Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.
- Коэффициент встроенного резистора смещения 10.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 18,52.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,13.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,14.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,28.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,36.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,54.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,55.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,68.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 45,45.
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА БАИС 1.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 0,21
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 0,47
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 10
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 2,14
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 21,28
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 4,7
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 45,45
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,21.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,14.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21,28.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,55.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7.
- ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 45,45.
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ
- ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,1
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 0,21
- ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,22
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 0,47
- ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1
- ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 10
- ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 2.1
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2,14
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,54
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,55
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,047.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,1.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,21.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,46.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,468.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,47.
- Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.
- ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 1,0.
- Коэффициент встроенного резистора смещения 10.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,12.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,13.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1363.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,14.
- СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 21.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,28.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,36.
- Коэффициент встроенного резистора смещения 3.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 4,54.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5454.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,55.
- Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7.
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 4,7, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 45,45.
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ
- ВСТРОЕННЫЕ РЕЗИСТОРЫ СМЕЩЕНИЯ
- КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 1,48.
- ЦИФРОВОЙ
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,2.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,47.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 1
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 10.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,12.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,136.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 21,36.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 4,5.
- ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 4,7.
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,13
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФЕКТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21,36
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФЕКТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7.
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ
- ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 10.
Контактное покрытие
- Медь, Серебро, Олово
- Медь, Олово
- Олово
ECCN-код
- EAR99
Срок выполнения заказа на заводе
- 1 неделя
- 10 недель
- 11 недель
- 12 недель
- 13 недель
- 14 недель
- 15 недель
- 16 недель
- 17 недель
- 18 недель
- 19 недель
- 2 недели
- 20 недель
- 26 недель
- 3 недели
- 36 недель
- 4 недели
- 5 недель
- 6 недель
- 7 недель
- 8 недель
- 9 недель
Код HTS
- 8541.21.00.75
- 8541.21.00.95
- 8541.29.00.95
Код JESD-609
- е0
- е1
- е2
- е3
- е4
- е6
Статус жизненного цикла
- АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад)
- АКТИВНО (Последнее обновление: 1 час назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 10 часов назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 3 часа назад)
- АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад)
- АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад)
- АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад)
- ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад)
- ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад)
- ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад)
- ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад)
- ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад)
- ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад)
- ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад)
- ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад)
Максимальная рабочая температура
- 125°С
- 150°С
- 85°С
Максимальная рассеиваемая мощность
- 1,5 Вт
- 100мВт
- 120 мВт
- 125 МВт
- 150 мВт
- 1 Вт
- 200мВт
- 202 МВт
- 230мВт
- 246мВт
- 250 мВт
- 254 МВт
- 260мВт
- 280мВт
- 2 Вт
- 300мВт
- 320мВт
- 325 МВт
- 330мВт
- 338мВт
- 400мВт
- 500мВт
- 720 МВт
Производитель
- Комчип Технология
- Диодс Инкорпорейтед
- Фэйрчайлд Полупроводник
- Микро Коммерческая Компания
- Нексперия США Инк.
- НТЭ Электроникс, Инк.
- НХП Полупроводники
- NXP США Инк.
- онсеми
- Ректрон США
- Ренесас
- Ренесас Электроникс Америка Инк.
- Ром Полупроводник
- Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Минимальная рабочая температура
- -40°С
- -55°С
- -65°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
- 1
- 1 (без блокировки)
- 3 (168 часов)
Установить
- Поверхностный монтаж
- Поверхностный монтаж, сквозное отверстие
- Сквозное отверстие
Тип монтажа
- Поверхностный монтаж
- Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
- Сквозное отверстие
Количество контактов
- 103
- 3
- 4
- 5
- 59
- 6
- 70
- 85
Количество окончаний
- 3
- 4
- 5
- 6
Пакет/ключи
- 3-ССИП
- 3-УФДФН
- 3-XDFN Открытая площадка
- 3-XFDFN
- 6-SMD (5 выводов), плоский вывод
- 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
- СК
- СК-101, СОТ-883
- СК-103
- СК-70, СОТ-323
- SC-72 Сформированные лидеры
- СК-74, СОТ-457
- СК-75, СОТ-416
- СК-85
- СК-89, СОТ-490
- СМД/СМТ
- СОТ-1123
- СОТ-23-3
- СОТ-23-6
- СОТ-323
- СОТ-346
- СОТ-523
- СОТ-563
- СОТ-563, СОТ-666
- СОТ-665
- СОТ-723
- СОТ-89
- ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)
- ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения)
- ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения
- ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов
- ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий корпус (формованные выводы)
- ТО-236, СК-59, вариант СОТ-23-3, 3-СМД
- ТО-236-3
- ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
- ТО-243АА
- ТО-261-4, ТО-261АА
Упаковка
- Масса
- Разрезанная лента (CT)
- Диги-Рил®
- Лента и коробка (ТБ)
- Лента и катушка (TR)
Статус детали
- Активный
- Снято с производства
- Последняя покупка
- Не для новых дизайнов
- Устаревший
Код Pbfree
- нет
- да
Опубликовано
- 1997 год
- 1998 год
- 1999 год
- 2000 г.
- 2001 г.
- 2002 г.
- 2003 г.
- 2004 г.
- 2005 г.
- 2006 г.
- 2007 год
- 2008 год
- 2009 год
- 2010 год
- 2011 г.
- 2012 год
- 2013 год
- 2014 год
- 2015 год
- 2016 год
- 2017 год
Ряд
- *
- -
- Автомобильная промышленность, AEC-Q101
- DTA043X
- DTA113ZCA-HF
- DTA123JCA-HF
- DTA123YCA-HF
- DTA143XCA-HF
- DTC113ZCA-HF
- DTC114WCA-HF
- DTC123JCA-HF
- DTC123YCA-HF
- DTC143ZCA-HF
- ПДТБ143
Подкатегория
- БИП Малый сигнал общего назначения
- Малые сигналы назначения общего BIP
- Другие транзисторы
Поставщик пакета оборудования
- DFN1006-3
- DFN1006B-3
- DFN1010D-3
- DFN1110D-3
- DFN1412D-3
- ЕМТ3
- ЭМТ3Ф (СОТ-416ФЛ)
- Мини3-G1
- Мини3-Г3-Б
- МиниП3-Ф1
- МЛ3-Н2
- МЛ4-Н1
- НС-А1
- НС-Б1
- PG-SOT323-3
- ПГ-ТСФП-3
- ПГ-ТСЛП-3-4
- S-Мини
- СК-59
- СК-59-3
- СК-62
- СК-70
- СК-70 (СОТ323)
- СК-70-3 (СОТ323)
- СК-75
- СК-75, СОТ-416
- SMini3-F2
- SMini3-G1
- СМИНИ6-Г1
- СМТ3
- СМТ3; МПАК
- СОТ-1123
- СОТ-23
- СОТ-23 (ТО-236АБ)
- СОТ-23-3
- СОТ-23-3 (ТО-236)
- СОТ-23-3Л
- СОТ-26
- СОТ-323
- СОТ-523
- СОТ-523Ф
- ССМ
- ССМини3-F1
- ССМини3-F3
- ССМини5-F2
- СССМини3-F1
- СССМини3-F2-B
- ССТ3
- ТО-236АБ
- ТО-92
- ТО-92-3
- ТО-92С
- УМТ3Ф
- УСМ
- ВЕСМ
- ВМТ3
Поверхностный монтаж
- НЕТ
- ДА
Терминальные отделки
- МАТОВАЯ ТУНКА
- Матовый олово (Sn)
- Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au)
- НЕ УКАЗАН
- ИНН
- Олово (Вс)
- ОЛОВО МЕДЬ
- Оловянный свинец
- ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ
- Олово/Висмут (Sn/Bi)
- Олово/Медь (Sn/Cu)
- Олово/Свинец (Sn/Pb)
- Олово/Свинец (Sn80Pb20)
- Олово/Свинец (Sn85Pb15)
- Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)
- Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Прекращение действия
- СМД/СМТ
- Сквозное отверстие
Материал транзисторного элемента
- КРЕМНИЙ
Напряжение — номинальный постоянный ток
- -30В
- -40В
- -50В
- 15 В
- 20 В
- 30В
- 40В
- 50В
- 60В
Масса
- 1,437803г
- 124,596154 мг
- 13.607771г
- 2,012816мг
- 240мг
- 28,009329мг
- 29,993795мг
- 30мг
- 4.535924г
- 6,010099мг
- 7,994566мг
- 9.071847г
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | ЭКАД | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Техническая спецификация | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Установить | Упаковка | Опубликовано | Ряд | Код Pbfree | Статус детали | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Количество окончаний | Прекращение действия | ECCN-код | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочее напряжение питания | Длина | Статус RoHS | Без свинца | Контактное покрытие | Текущий рейтинг | Радиационная закалка | Количество контактов | Дополнительная функция | Пакет/ключи | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Достичь соответствия кода | Высота | Ширин | Производитель | Тип монтажа | Масса | Напряжение — номинальный постоянный ток | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Базовый номер детали | Количество контактов | Поверхностный монтаж | Код JESD-30 | Рабочая температура (макс.) | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная рассеиваемая мощность | Мощность - Макс. | Справочный стандарт | Количество элементов | Конфигурация | Максимальный выходной ток | Полярность | Соединение корпуса | Без галогенов | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Максимальное напряжение проба | Поставщик пакета оборудования | Макс. ток коллектора | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Применение транзистора | Материал транзисторного элемента | Тип транзистора | Частота смены | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCEsat-Макс | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Непрерывный ток коллектора | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Частота – переход | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCR191WH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 26 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2011 г. | Не для новых дизайнов | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Олово | 3 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | СК-70, СОТ-323 | Поверхностный монтаж | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | BCR191 | 250 мВт | 1 | ПНП | Без галогенов | Одинокий | 100 мА | 50В | 300мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП — предварительный смещенный | 200 МГц | 100на ИКБО | 50 | 50 при 5 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 200 МГц | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA123ECAT116 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 13 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2016 год | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | Соответствует ROHS3 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 1 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | не_совместимо | Поверхностный монтаж | 8541.21.00.75 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3 | Р-ПДСО-Г3 | 150°С | Не квалифицированный | 200мВт | 200мВт | 1 | ОДИНАРНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | 50В | 100 мА | 50В | 300мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | КРЕМНИЙ | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 500нА | 0,3 В | 20 @ 20 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 250 МГц | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA123JEBHZGTL | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 20 недель | Разрезанная лента (CT) | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | Соответствует ROHS3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21. | СК-89, СОТ-490 | не_совместимо | Поверхностный монтаж | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ДА | Р-ПДСО-Ф3 | 150 мВт | 1 | ОДИНАРНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | КРЕМНИЙ | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 50В | 100 мА | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 250 МГц | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РН1114МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 12 недель | Лента и катушка (TR) | 2016 год | Активный | Соответствует RoHS | СОТ-723 | Поверхностный монтаж | 150 мВт | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 50В | 100 мА | 50 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 250 МГц | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ДТА143ТМ3Т5Г | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | Лента и катушка (TR) | 2009 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | Без свинца | -100 мА | Нет | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | СОТ-723 | Поверхностный монтаж | -50В | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 40 | ДТА143 | 3 | ДА | БИП Малый сигнал общего назначения | 260мВт | 1 | ПНП | Без галогенов | Одинокий | 260мВт | 50В | 100 мА | 50В | 50В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП — предварительный смещенный | 500нА | 100 мА | 160 | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | УНР32А400Л | Электронные компоненты Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2003 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Содержит свинец | 80 мА | СОТ-723 | Поверхностный монтаж | 50В | 100мВт | 100мВт | 50В | СССМини3-F1 | 80 мА | 50В | 250 мВ | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 50В | 80 мА | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 150 МГц | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DDTC113ZE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 16 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2006 г. | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 100 мА | 3 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | СОТ-523 | 750 мкм | 800 мкм | 2,012816мг | 50В | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 3 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 150 мВт | 1 | НПН | 33 | Одинокий | 50В | 100 мА | 50В | 300мВ | 250 МГц | 100 мА | 33 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UNR9210J0L | Электронные компоненты Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2004 г. | Устаревший | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Содержит свинец | 100 мА | СК-89, СОТ-490 | Поверхностный монтаж | 50В | 125 МВт | 125 МВт | 50В | ССМини3-F1 | 100 мА | 50В | 250 мВ | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 50В | 100 мА | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 150 МГц | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РН1105МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 16 недель | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 2011 г. | Снято с производства | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 3 | СОТ-723 | 500 мкм | 800 мкм | Поверхностный монтаж | 150 мВт | НПН | Одинокий | 50В | 100 мА | 50В | 50В | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 100 мА | 50В | 5В | 80 | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ДДТК115ТКА-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2007 год | да | Устаревший | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | Нет | 59 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Поверхностный монтаж | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | ДДТК115 | 3 | Р-ПДСО-Г3 | БИП Малый сигнал общего назначения | 200мВт | 1 | НПН | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | NPN — предварительный смещенный | 250 МГц | 500нА ИКБО | 100 @ 1 мА 5 В | 300 мВ @ 100 мкА, 1 мА | 250 МГц | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | СМУН2232Т1Г | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 2 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | Лента и катушка (TR) | 2013 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 3 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Поверхностный монтаж | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МУН2232 | 3 | ДА | БИП Малый сигнал общего назначения | 230мВт | 1 | НПН | Без галогенов | Одинокий | 100 мА | 50В | 250 мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 15 | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РН1108CT(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2014 год | Устаревший | 1 (без блокировки) | СК-101, СОТ-883 | Поверхностный монтаж | ДА | БИП Малый сигнал общего назначения | 50мВт | 1 | НПН | 0,05 Вт | КРЕМНИЙ | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 20 В | 50 мА | 120 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ADTA114EUAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 13 недель | Лента и катушка (TR) | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Активный | EAR99 | Соответствует ROHS3 | СК-70, СОТ-323 | Поверхностный монтаж | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | 330мВт | ПНП — предварительный смещенный | 50В | 100 мА | 250 МГц | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTC143ZET1 | Рочестер Электроникс, ООО | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Устаревший | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NHDTC144ETR | Нексперия США Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Нексперия США Инк. | Поверхностный монтаж | 250 мВт | ТО-236АБ | NPN — предварительный смещенный | 100 нА | 80 В | 100 мА | 100 при 10 мА, 5 В | 100 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 170 МГц | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTB743XETL | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2008 год | да | Не для новых дизайнов | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | Нет | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2.1 | СК-75, СОТ-416 | Поверхностный монтаж | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | ДТБ743 | 3 | БИП Малый сигнал общего назначения | 150 мВт | 1 | ПНП | Одинокий | 200 мА | 30В | 300мВ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП — предварительный смещенный | 260 МГц | 500нА | 140 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 260 МГц | 4,7 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA123JCAHZGT116 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Ром Полупроводник | Поверхностный монтаж | 200 мВт | ССТ3 | ПНП — предварительный смещенный | 500нА | 50 В | 100 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 250 МГц | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | НСБК143ЕФ3Т5Г | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Лента и катушка (TR) | 2010 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 3 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | СОТ-1123 | Поверхностный монтаж | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 3 | ДА | БИП Малый сигнал общего назначения | 254 МВт | 1 | НПН | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 15 | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА123ТЕ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 19 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2007 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | СОТ-523 | 750 мкм | 800 мкм | Поверхностный монтаж | 2,012816мг | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | ДДТА123 | 3 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 150 мВт | 1 | ПНП | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 500нА ИКБО | 100 мА | 100 | 100 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 250 МГц | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA113ZEBTL | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 13 недель | Лента и катушка (TR) | Активный | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-89, СОТ-490 | Поверхностный монтаж | 150 мВт | ПНП — предварительный смещенный | 500нА | 50В | 100 мА | 33 @ 5 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 250 МГц | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ПДТБ143XUX | Нексперия США Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 4 недели | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2014 год | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | Соответствует ROHS3 | 3 | СК-70, СОТ-323 | Поверхностный монтаж | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 300мВт | 300мВт | 1 | ОДИНАРНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | 500 мА | 50В | 100 мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | КРЕМНИЙ | NPN — предварительный смещенный | 140 МГц | 500нА | 70 @ 50 мА 5 В | 100 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 140 МГц | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA124EU3HZGT106 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 13 недель | Лента и катушка (TR) | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | Соответствует ROHS3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | СК-70, СОТ-323 | Поверхностный монтаж | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ДА | Р-ПДСО-Г3 | 200мВт | 1 | ОДИНАРНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | КРЕМНИЙ | ПНП — предварительный смещенный | 250 МГц | 500нА | 50В | 100 мА | 56 @ 5 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 250 МГц | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ДДТА144ТСА-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2008 год | Снято с производства | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | 3,05 мм | Соответствует ROHS3 | Содержит свинец | -100 мА | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | СОТ-23-3 | не_совместимо | 1 мм | 1,4 мм | 7,994566мг | -50В | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 10 | 3 | Р-ПДСО-Г3 | Не квалифицированный | 200мВт | 1 | ПНП | 100 | Одинокий | 50В | 100 мА | 50В | 300мВ | 250 МГц | 100 мА | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ДТДГ14GPT100 | РОМ Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 13 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2006 г. | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | СМД/СМТ | EAR99 | 150°С | -55°С | 60В | Соответствует ROHS3 | Без свинца | 1А | Нет | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | ТО-243АА | Нет СВХК | Поверхностный монтаж | 60В | 8541.21.00.95 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПЛОСКИЙ | 260 | 10 | ДТДГ14 | 3 | Малые сигналы назначения общего BIP | 2 Вт | 1 | 1А | НПН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | Одинокий | 500мВт | 60В | 1А | 60В | 400мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | NPN — предварительный смещенный | 80 МГц | 500нА ИКБО | 0,4 В | 1А | 5В | 300 | 300 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 5 мА, 500 мА | 80 МГц | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | РН1416,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | 12 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2014 год | Активный | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 2,9 мм | Соответствует RoHS | 3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,1 мм | 1,5 мм | Поверхностный монтаж | 200мВт | 200мВт | НПН | Одинокий | 50В | S-Мини | 100 мА | 50В | 50В | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 50В | 100 мА | 100 мА | 50В | 7В | 50 | 50 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 250 МГц | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ПДТА144EQAZ | Нексперия США Инк. | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 4 недели | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2014 год | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | Соответствует ROHS3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | 3-XDFN Открытая площадка | Поверхностный монтаж | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3 | Р-ПДСО-Н3 | 280мВт | 280мВт | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 1 | ОДИНАРНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПНП | 100 мА | 50В | 150 мВ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | КРЕМНИЙ | ПНП — предварительный смещенный | 180 МГц | 1 мкА | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 180 МГц | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ДДТБ114ТУ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 19 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2007 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | 2,2 мм | Соответствует ROHS3 | 3 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | СК-70, СОТ-323 | 1 мм | 1,35 мм | Поверхностный монтаж | 6,010099мг | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | ДТБ114 | 3 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 200мВт | 1 | ПНП | Одинокий | 500 мА | 50В | 40В | ПНП — предварительный смещенный | 200 МГц | 500нА ИКБО | 500 мА | 100 | 100 @ 5 мА 5 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 200 МГц | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ДРА5143З0Л | Электронные компоненты Panasonic | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 10 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2016 год | Снято с производства | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | 2 мм | Соответствует RoHS | 85 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ 10 | СК-85 | неизвестный | 800 мкм | 1,25 мм | Поверхностный монтаж | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ДРА5143 | Р-ПДСО-Ф3 | 150 мВт | 1 | ПНП | Одинокий | 50В | 100 мА | 50В | -50В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | КРЕМНИЙ | ПНП — предварительный смещенный | 500нА | -250мВ | -100 мА | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMUN5114T1G | ОН Полупроводник | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 4 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | Лента и катушка (TR) | 2012 год | да | Активный | 1 (без блокировки) | 3 | EAR99 | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | Без свинца | Нет | 3 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | СК-70, СОТ-323 | Поверхностный монтаж | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МУН51**Т | 3 | ДА | БИП Малый сигнал общего назначения | 202 МВт | АЭК-Q101 | 1 | ПНП | Без галогенов | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП — предварительный смещенный | 500нА | 80 | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTC124EUAQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,0000 | | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | СК-70, СОТ-323 | Диодс Инкорпорейтед | Поверхностный монтаж | 330 мВт | СОТ-323 | NPN — предварительный смещенный | 500нА | 50 В | 100 мА | 56 @ 5 мА, 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 250 МГц | 22 кОм | 22 кОм |
-
-
-
- РН1114МФВ,Л3Ф Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Биполярные транзисторы — резисторное смещение с предварительным смещением Встроенный транзистор
Цена: 0.0000
запросить цену -
- УНР32А400Л Электронные компоненты Panasonic
ТРАНС ПРЕБИАС НПН 100 МВт SSSMINI3
Цена: 0.0000
запросить цену - DDTC113ZE-7-F Диодс Инкорпорейтед
Биполярные транзисторы с предварительным смещением 150 МВт 1К 10К
Цена: 0.0000
запросить цену - UNR9210J0L Электронные компоненты Panasonic
ТРАНС ПРЕБИАС NPN 125 МВт SSMINI3
Цена: 0.0000
запросить цену - РН1105МФВ,Л3Ф Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТРАНС ПРЕБИАС НПН 0,15ВТ ВЕСМ
Цена: 0.0000
запросить цену -
- СМУН2232Т1Г ОН Полупроводник
Trans Digital BJT NPN 50 В 100 мА 3-контактный SC-59 T/R
Цена: 0.0000
запросить цену - РН1108CT(ТПЛ3) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТРАНС ПРЕБИАС NPN 0,05 Вт CST3
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- РН1416,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТРАНС ПРЕБИАС NPN 0,2 Вт S-МИНИ
Цена: 0.0000
запросить цену -
-
- ДРА5143З0Л Электронные компоненты Panasonic
Биполярные транзисторы с предварительным смещением TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2,0x2,1 мм
Цена: 0.0000
запросить цену - SMUN5114T1G ОН Полупроводник
Trans Digital BJT PNP 50 В 100 мА Автомобильный 3-контактный SC-70 T/R
Цена: 0.0000
запросить цену -
Нужна помощь?
