Позвоните нам:+86 0755-82563503
Валюта:$ Доллар США
- СТМ32F103C8T6
- MFI343S00177
- СТМ32Ф407ВЕТ6
- ATMEGA328P-ПУ
Предметы :%s%s
Дискретные полупроводниковые изделия
Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | ЭКАД | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Техническая спецификация | Ряд | Пакет/ключи | Производитель | Тип монтажа | Рабочая температура | Технология | Тип | Поставщик пакета оборудования | Рассеиваемая мощность-Макс. | Тип полярного транзистора | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Категория |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ТК100Е10Н1 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||
Т2Н7002АК,ЛМ(Т | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | У-МОСVII-H | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ОПИСАНИЕ | СОТ-23-3 | 320 мВт (Та) | N-канал | 3,9 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 17 пФ при 10 В | 0,35 НК при 4,5 В | 200 мА (Та) | 60 В | 4,5 В, 10 В | ±20 В | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Полевые транзисторы, МОП-транзисторы Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
- ТК100Е10Н1 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Силовой МОП-транзистор (Н-канальный одиночный 60В VDSS 150В)
Цена: 0.0000
запросить цену