Позвоните нам:+86 0755-82563503
Валюта:$ Доллар США
- СТМ32F103C8T6
- MFI343S00177
- СТМ32Ф407ВЕТ6
- ATMEGA328P-ПУ
Предметы :%s%s
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | ЭКАД | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Техническая спецификация | Срок выполнения заказа на заводе | Установить | Упаковка | Опубликовано | Ряд | Статус детали | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Длина | Статус RoHS | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество контактов | Пакет/ключи | Высота | Ширин | Тип монтажа | Масса | Рабочая температура | Технология | Тип | Количество вариантов | Количество элементов | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Включить время задержки | Пороговое напряжение | Снижение сопротивления до источника | Поставщик пакета оборудования | Рассеиваемая мощность-Макс. | Непрерывный ток стока (ID) | Время задержки отключения | Тип полярного транзистора | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Время подъема | Осень (тип.) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Напряжение проба стока к источнику | Номинальный объем | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Входная емкость | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | РДС на Максе |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
АОН7254 | Хиросе Электрик | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SIHB30N60AEL-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | Лента и катушка (TR) | ЭЛЬ | Устаревший | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | Параметр | ТО-263 (Д2Пак) | 250 Вт Тс | N-канал | 120 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2565пФ при 100 В | 120 НК при 10 В | 28А ТЦ | 600В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CSD19536КТТ | Техасские инструменты | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Телемеханика | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
bsc025n08ls5atma1 | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | СТМикроэлектроника | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI7820DN-T1-E3 | Вишай | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDN5618P | онсеми | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPA04N80C3XKSA1 | Инфинеон Технологии | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQJA81EP-T1_GE3 | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SQ4401EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | 12 недель | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2015 год | ТренчFET® | Активный | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | 5 мм | Соответствует ROHS3 | Олово | Нет | 8 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,55 мм | 4 мм | Поверхностный монтаж | 506,605978мг | -55°С~175°С ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | Параметр | 1 | 1 | Одинокий | 1,8 Вт | 58 нс | -2В | 11мОм | 8-СО | 7,14 Вт Тс | 17,3А | 67 нс | P-канал | 14 мОм при 10,5 А, 10 В | 4250пФ при 20 В | 115 НК при 10 В | 76нс | 44 нс | 20 В | -40В | -2 В | 17,3 А Тс | 40В | 4,25 нФ | 4,5 В 10 В | ±20 В | 14 мОм | |||||
SI5403DC-T1-GE3 | Вишай | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
СТБ80НФ55-06Т4 | СТМикроэлектроника | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CSD17313Q2T | Техасские инструменты | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ИПП60Р180П7 | Инфинеон Технологии | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | Тубусный | Соответствует RoHS | ПГ-ТО220-3 | Параметр | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Бивар Инк. | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI7820DN-T1-GE3 | Вишай | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ТК100Е10Н1 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UT3401G-AE3-R | UTC (Унисоническая технология) | 0,0364 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
СТБ55НФ06Т4 | СТМикроэлектроника | 0,0000 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0,00000000 | скачать |
- CSD19536КТТ Техасские инструменты
Одиночный, 2,4 мОм, 100 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ в корпусе D2PAK
Цена: 0.0000
запросить цену - STP6NK60ZFP СТМикроэлектроника
МОП-транзистор Н-канальный стабилитрон 600 В SuperMESH
Цена: 0.0000
запросить цену - CSD17313Q2T Техасские инструменты
Одиночный, 32 мОм, 30 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ в корпусе SON размером 2 х 2 мм
Цена: 0.0000
запросить цену - ТК100Е10Н1 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Силовой МОП-транзистор (Н-канальный одиночный 60В VDSS 150В)
Цена: 0.0000
запросить цену - СТБ55НФ06Т4 СТМикроэлектроника
Техническое описание STB55NF06T4 в формате pdf и в Траисторах — поляки и полочные транзисторы — подробные сведения об отдельных продуктах со склада STMicroelectronics, доступных в HK JDW.
Цена: 0.0000
запросить цену